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Typical Electrical Characteristics
1.1
25
I
D
= 250μA
10
V GS =0V
1.05
1
1
TJ = 125°C
25°C
-55°C
0.1
0.95
0.01
0.9
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0.001
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
2000
10
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature .
1500
1000
8
I D = 7.2A
V DS = 5V
10V
20V
C iss
500
C oss
6
4
200
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
2
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Capacitance Characteristics.
20
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
16
V DS = 10V
TJ = -55°C
25°C
12
8
4
125°C
0
0
5
10
15
20
25
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
NDT451AN Rev. D1
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